SiC-verschmelzte Schottky-Dioden erhöhen die Zuverlässigkeit der Stromversorgung ...

Die Geräte verwenden ein Merged-PIN-Schottky-Design (MPS), um eine hohe Stoßstromrobustheit mit einem geringen Vorwärtsspannungsabfall, kapazitiver Ladung und Rückwärtsleckstrom zu kombinieren und so die Effizienz und Zuverlässigkeit von Schaltnetzdesigns zu erhöhen.

Die RoHS-konformen und halogenfreien Dioden haben den Hochtemperatur-Sperrvorspannungstest (HTRB) von 2000 Stunden und den Temperaturwechseltest von 2000 thermischen Zyklen bestanden. Das sind doppelt so viele Teststunden und -zyklen wie bei den AEC-Q101-Anforderungen.

Zu den typischen Anwendungen für die Geräte gehören AC/DC-PFC und DC/DC-Ultrahochfrequenz-Ausgangsgleichrichtung in FBPS- und LLC-Wandlern für Energieerzeugungs- und Explorationsanwendungen.

Die SiC-Dioden reichen von 4 A bis 40 A in TO-22OAC 2L- und TO-247AD 3L-Durchgangsloch- und D²PAK 2L- (TO-263AB 2L) Oberflächenmontagegehäusen. Die MPS-Struktur reduziert den Durchlassspannungsabfall im Vergleich zu früheren Generationen um 0,3 V, während die Durchlassspannungsabfallzeit bei kapazitiver Ladung – ein wichtiger Leistungsfaktor (FOM) für die Energieeffizienz – um 17 % geringer ist.

Der typische Sperrableitstrom ist bei Raumtemperatur 30 % und bei hohen Temperaturen 70 % niedriger als bei der nächstgelegenen Konkurrenzlösung. Dadurch werden Leitungsverluste reduziert, um eine hohe Systemeffizienz bei geringer Last und im Leerlauf zu gewährleisten. Im Gegensatz zu ultraschnellen Dioden haben die Geräte der 3. Generation praktisch kein Erholungsende, was die Effizienz weiter verbessert.

Im Vergleich zu Siliziumdioden mit vergleichbaren Durchbruchspannungen bieten die SiC-Bauelemente eine höhere Wärmeleitfähigkeit, einen geringeren Sperrstrom und kürzere Sperrverzögerungszeiten. Die Sperrverzögerungszeiten der Dioden sind nahezu temperaturunabhängig und ermöglichen den Betrieb bei höheren Temperaturen bis +175 °C ohne durch Schaltverluste verursachte Verschiebungen der Leistungseffizienz.

Teile #

WENN(AUS) (A)

IFSM (A)

VF bei IF (V)

QC (nC)

Aufbau

Paket

VS-3C04ET07S2L-M3

4

29

1.5

12

Einzel

D²PAK 2L

VS-3C06ET07S2L-M3

6

42

1.5

17

Einzel

D²PAK 2L

VS-3C08ET07S2L-M3

8

54

1.5

22

Einzel

D²PAK 2L

VS-3C10ET07S2L-M3

10

60

1,46

29

Einzel

D²PAK 2L

VS-3C12ET07S2L-M3

12

83

1.5

34

Einzel

D²PAK 2L

VS-3C16ET07S2L-M3

16

104

1.5

44

Einzel

D²PAK 2L

VS-3C20ET07S2L-M3

20

110

1.5

53

Einzel

D²PAK 2L

VS-3C04ET07T-M3

4

29

1.5

12

Einzel

TO-220AC 2L

VS-3C06ET07T-M3

6

42

1.5

17

Einzel

TO-220AC 2L

VS-3C08ET07T-M3

8

54

1.5

22

Einzel

TO-220AC 2L

VS-3C10ET07T-M3

10

60

1,46

29

Einzel

TO-220AC 2L

VS-3C12ET07T-M3

12

83

1.5

34

Einzel

TO-220AC 2L

VS-3C16ET07T-M3

16

104

1.5

44

Einzel

TO-220AC 2L

VS-3C20ET07T-M3

20

110

1.5

53

Einzel

TO-220AC 2L

VS-3C16CP07L-M3

2 x 8

54

1.5

22

Gemeinsame Kathode

TO-247AD 3L

VS-3C20CP07L-M3

2 x 10

60

1,46

29

Gemeinsame Kathode

TO-247AD 3L

VS-3C40CP07L-M3

2 x 20

110

1.5

53

Gemeinsame Kathode

TO-247AD 3L

Muster und Produktionsstückzahlen der neuen SiC-Dioden sind ab sofort verfügbar, die Lieferzeit beträgt acht Wochen.

www.Vishay.com.